发明专利已授权

一种在高电场下具有稳定铁电性的HoSrMnZn共掺铁酸铋铁电薄膜及其制备方法(高校铁电薄膜，先进电子材料领域，铁电材料）

📄 申请号：CN201710253949.6 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2017-04-18

公开号

CN107140971B

公开日

2020-06-30

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_453

IPC 分类号

H01F1_10 , C04B35_453 , C04B35_622 ,

技术画像

所属领域

电子材料铁电薄膜铁酸铋材料掺杂改性电子材料

应用场景

铁电存储器, 压电器件, 传感器, 光电器件, 微电子器件

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摘要

本发明提供了一种在高电场下具有稳定铁电性的HoSrMnZn共掺铁酸铋铁电薄膜及其制备方法，以硝酸铋、硝酸钬、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸锌为原料(硝酸铋过量5％)，以乙二醇甲醚和乙酸酐为溶剂，用旋涂法和层层退火的工艺制备了在高电场下具有稳定铁电性的Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.95Mn0.03Zn0.02O3铁电薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，并采用旋涂和层层退火法，设备要求简单，实验条件易于实现，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控，制得的在高电场下具有稳定铁电性的HoSrMnZn共掺铁酸铋铁电薄膜均匀性较好，能够有效提高其耐击穿性能，提高其剩余极化值。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20200630

✅ 授权

20171010

?? 实质审查的生效：

20170908

📄 公开

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