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摘 要:本发明提供了一种2?2型BiFeO3?CuFe2O4复合薄膜及其制备方法,先分别配制CuFe2O4前驱液和BiFeO3前驱液;然后在基片上旋涂制备多层CuFe2O4薄膜,再在CuFe2O4薄膜上旋涂制备多层BiFeO3薄膜,即得到BiFeO3?CuFe2O4复合薄膜。本发明采用溶胶凝胶法,制备的薄膜均匀性好,且化学组分精确可控,将BiFeO3薄膜与强磁性尖晶石结构的CuFe2O4薄膜复合,得到的BiFeO3?CuFe2O4复合薄膜的饱和磁化强度Ms为25.8emu/cm3,剩余磁化强度Mr为17.8emu/cm3;同时其介电损耗频谱出现符合麦克斯韦?瓦格纳介电弛豫;薄膜的漏电流在正向偏压下存在一个电阻滞后现象。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610187898.7 | 专利名称: | 一种2-2型BiFeO3-CuFe2O4复合薄膜及其制备方法 |
申请日: | 2016-03-29 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C04B35/26搜分类 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 光电器件 光伏 太阳能 电力 磁电耦合搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |