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24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN201910419518.1 | 专利名称： | 一种基于TSV的积累型MOS变容二极管及其制备方法 |
| 申请日： | 2019-05-20 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 陕西省西安市碑林区金花南路5号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L29/93 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2019-08-09 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN110112223A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 80 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开了一种基于TSV的积累型MOS变容二极管，包括P型硅衬底，硅衬底上开设有通孔，通孔中从内向外依次设置有金属柱和介质层，金属柱引出有端子a，靠近通孔端部的介质层与硅衬底之间设置有P型参杂区，P型参杂区的端面上引出有端子b。本发明还公开了一种基于TSV的积累型MOS变容二极管的制备方法，本发明基于TSV的积累型MOS变容二极管相比平面积累型MOS变容二极管具有更高的品质因数、更低的寄生电阻、更低的相位噪声和更好的调谐线性度。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2022/05/20 | 授权 | |
| 2019/09/03 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/93 专利申请号: 201910419518.1 申请日: 2019.05.20 |
| 2019/08/09 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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