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| 专利/申请号： | CN202122042725.5 | 专利名称： | 一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片 |
| 申请日： | 2021-08-27 | 申请/专利权人 | 大连优易科技电子技术有限公司 |
| 专利类型： | 实用新型 | 地址： | 辽宁省大连市甘井子区辛虹北园12号3单元8层1号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L31/0224 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2022-02-25 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN215911434U | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 25 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
摘 要：本实用新型公开了一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片，包括硅片主体，所述硅片主体的上表面设置有主栅线和副栅线，所述主栅线和副栅线的顶部设置有耐腐层，所述耐腐层的顶部设置有耐磨层，所述硅片主体包括N型单晶硅片和P型单晶硅片，所述N型单晶硅片的底部固定连接有金属导电层，所述P型单晶硅片的顶部设置有镓晶体硅层，所述镓晶体硅层的顶部设置有单晶硅绒面层。本实用新型通过聚光层、增透层、镓晶体硅层和单晶硅绒面层的作用，使得本单晶硅片具备光电转换效率高的优点，解决了现有的单晶硅片在使用时照射的光能容易反射，导致单晶硅片对光能利用率达不到要求，进而降低了其光电转换效率的问题。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2022/06/24 | 文件的公告送达 | 文件的公告送达失败 收件人: 翁薛金 文件名称: 修改更正通知书 |
| 2022/05/10 | 专利权的转移 | 登记生效日: 2022.04.26 专利权人由翁薛金变更为大连优易科电子技术有限公司 地址由325003 浙江省温州市鹿城区海运路与株柏路交叉路口往西北约130米鹿港大厦18层1815室变更为116000 辽宁省大连市甘井子区辛虹北园12号3单元8层1号 |
| 2022/02/25 | 授权 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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