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基于WSe2/KTaO3范德华异质结的光电探测器及其制备方法

Name: 基于WSe2/KTaO3范德华异质结的光电探测器及其制备方法
Brand: 苏州科技大学
SKU: 2020112635097
Availability: InStock

📄 申请号：CN202011263509.7 📄 发布日：2026/11/10

著录项目信息

申请日

2020-11-12

公开号

CN112420872B

公开日

2023-06-16

申请人

苏州科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_18

IPC 分类号

H01L31_18 , H01L31_109 , G01J1_42 ,

技术画像

所属领域

二维材料器件二维材料器件半导体异质结光电探测器

应用场景

光电探测, 光通信, 图像传感, 光谱分析, 消费电子

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摘要

本发明涉及一种基于WSe2/KTaO3范德华异质结的光电探测器及其制备方法，属于光电材料技术领域。将少层WSe2转移到单晶KTO表面，再制备金属电极、二硒化钨和钽酸钾表面电子气及其构成的范德华异质结。本发明提供的基于WSe2/KTaO3范德华异质结构可实现对光照条件开/关的瞬时光电响应，开/关电流之比高达104；同时，在不加偏压时也能产生短路电流，可作为自供能光电探测器使用。这种光电器件结构简单、制备简单、性能优良。本发明技术方案为2D材料/2DEG系统的范德华异质结在高性能光电器件和光电探测器中的应用提供了可能。

常见问题

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

甲基苯基甲氧基硅酸膦杂环甲酯化合物及其制备方法

当前第 / 件

一种向底泥注入吸附材料控制内源磷释放的方法

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