发明专利已授权

一种氮化硅和硼掺杂氮化硅基非晶陶瓷及其高压制备方法

📄 申请号：CN202410265790.X 📄 发布日：2026/08/24

著录项目信息

申请日

2024-03-08

公开号

CN118206385B

公开日

2024-10-25

申请人

宁波大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_593

IPC 分类号

C04B35_593 , C04B35_622 , C04B35_626 ,

技术画像

所属领域

非晶陶瓷非晶陶瓷氮化硅陶瓷陶瓷高压烧结

应用场景

高温结构材料, 航空航天, 耐磨部件, 电子封装, 精密机械

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摘要

本发明提供了一种氮化硅和硼掺杂氮化硅基非晶陶瓷的高压制备方法，包括以下步骤：S1：利用聚合物转化法制备得到不同硅硼元素比例的非晶陶瓷粉体；S2：将步骤S1制备得到的非晶陶瓷粉体进行预加工处理后得到原料块体；S3：将所述步骤S2得到的所述原料块体通过金属钼箔包裹后装入六面顶压机的合成腔室中，进行加热加压并保温保压，之后冷却卸压，得到非晶氮化硅和硼掺杂氮化硅基陶瓷材料。通过本发明制备而得的非晶陶瓷具备较高的硬度，本发明方法大大降低了氮化硅和氮化硅基非晶陶瓷制备的苛刻条件、成本和周期，并为其它非晶陶瓷材料的制备提供了参考。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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