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本发明公开一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，属于半导体集成电路技术领域，包括NMOS管A、自偏置PMOS管B、NMOS管C，NMOS管A的N+漏区与NMOS管C的N+源区通过金属互连，NMOS管A的N+源区与PMOS管B的P+漏区相连，二者通过金属短接作为本发明器件的阴极，与上述阴极金属相连的多晶硅作为PMOS管B的栅极，传统硅横向绝缘栅双极型晶体管的阳极作为本发明器件的阳极，本发明与现有技术的绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管相比，在相等的导通压降情况下，具有更大的电流密度，更小的导通损耗和芯片面积，解决了现有技术中出现的问题。

本发明公开了一种场限环-负斜角复合终端结构，将芯片的中央区域作为有源区，将有源区外围区域作为终端区，有源区和终端区共同的n-衬底下方设置有n型场阻止层，在n型场阻止层下方设置有p+阳极区及阳极；有源区中，n-基区中设置有多个并联的单元，每个单元内与n-基区相邻的是波状p基区，p基区上面为p+基区，p+基区中央设置有一个阴极n+发射区，每个n+发射区上方设有阴极；p+基区上方设有门极，并且整个门极环绕在所包围的阴极n+发射区的周围；在终端区的n-衬底内，在主结外侧设了至少一个p型场限环，并在场限环上面有一个负斜角，斜面上覆有钝化层。本发明的场限环-负斜角复合终端结构具有更好的高温稳定性。

本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种槽栅双极型晶体管。本发明的主要方案：一是采用了元胞区与假元胞区在水平方向交替排列的结构，假元胞区与元胞区通过金属化发射极相连，假元胞区内靠近发射极一侧的半导体浮空；二是在假元胞上表面垂直延伸进器件形成与发射极短接的沟槽结构，起到均匀电场的作用。本发明具有极低的功率损耗。在器件经受短路冲击时，由于本发明器件具有更加均匀的电场分布，降低了器件的碰撞电离率，抑制了器件热失效，使得器件具有更强的抗短路能力。

本发明涉及一种具有双沟槽的4H‑SiC横向绝缘栅双极型晶体管器件，属于功率半导体器件技术领域。该器件包括沟槽氧化层、N‑drift区、轻掺杂P‑epi层、重掺杂P+epi层、N型4H‑SiC衬底、P‑base区、N+注入区、P+注入区Ⅰ、P+注入区Ⅱ、N‑buffer区、金属衬底电极、金属集电极、金属发射极、栅极氧化层和多晶硅沟槽栅。本发明基于高可靠性的N型4H‑SiC衬底，深入漂移区的氧化层沟槽在器件正向阻断时辅助耗尽漂移区、同时减小了发射极和集电极之间的寄生电容；延伸到P‑epi层的沟槽栅结构提高了器件的栅氧可靠性，并且与其他器件隔离，简化了制造工艺。

本发明公开了一种氮化镓器件及氮化镓封装结构，涉及氮化镓领域，包括主封装箱，所述主封装箱的底面螺纹连接有支撑底块，所述主封装箱的两侧边对称焊接有固定侧板，所述固定侧板的一侧边螺栓连接有推动气缸，所述主封装箱的两侧边对称开设有侧卡槽，所述侧卡槽的内侧边卡接有活动推板，所述活动推板在远离固定侧板的一侧边水平焊接有延伸支杆，所述延伸支杆在远离活动推板的一端水平焊接有固定横杆，所述固定横杆的一侧边垂直焊接有底托板。本发明装置设计结构简单操作方便，在采用了热收缩的固定结构使得器件更加的稳定，同时在采用了双面热熔结构使得封装快速高效，且真空处理使得内部部件运行更加的稳定。