发明专利已授权

CuGaSe2基太阳电池及其制备方法

📄 申请号：CN202210855553.X 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2022-07-20

公开号

CN115084292B

公开日

2024-05-28

申请人

盐城工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_032

IPC 分类号

H01L31_032 , H01L31_0352 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

薄膜太阳电池薄膜太阳电池光伏材料半导体光电器件

应用场景

光伏发电, 太阳能电池制造, 可再生能源发电, 建筑光伏一体化, 空间电源系统

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摘要

本发明公开了一种CuGaSe2基太阳电池，包括：衬底；Mo背电极，形成在衬底上；CuGaSe2吸收层，形成在Mo背电极上，配置为响应于太阳光而产生光生载流子；Ga2Se3缓冲层，形成在CuGaSe2吸收层上；其中，Ga2Se3缓冲层的导带底的位置高于CuGaSe2吸收层的导带底的位置，以使Ga2Se3缓冲层与CuGaSe2吸收层异质结界面处形成spike结构；透明导电层，形成在Ga2Se3缓冲层上，配置为传导由CuGaSe2吸收层产生的光生载流子；前电极，形成在透明导电层上，配置为接收光生载流子；其中，Ga2Se3缓冲层配置为减小CuGaSe2吸收层和透明导电层之间的能带失调值和晶格失配度。本发明还公开了一种上述的CuGaSe2基太阳电池的制备方法。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种小型易提工具

当前第 / 件

一种实验平台及实验系统

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H01L31_02 H01L31_0203 H01L31_0216 H01L31_0224 H01L31_0232 H01L31_0236 H01L31_0264 H01L31_0304 H01L31_032 H01L31_0336 H01L31_0352 H01L31_0392 H01L31_04 H01L31_042 H01L31_043 H01L31_0445 H01L31_048 H01L31_049 H01L31_05 H01L31_052 H01L31_054 H01L31_055 H01L31_056 H01L31_068 H01L31_07 H01L31_072 H01L31_0725 H01L31_078 H01L31_08 H01L31_09 H01L31_101 H01L31_102 H01L31_103 H01L31_105 H01L31_107 H01L31_108 H01L31_109 H01L31_111 H01L31_112 H01L31_113 H01L31_115 H01L31_18 H01L31_20 覆盖43个领域

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