发明专利已授权

外延晶片、外延晶片制造方法、二极管及整流器

Name: 外延晶片、外延晶片制造方法、二极管及整流器
Brand: 华南师范大学
SKU: 2019108499970
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910849997.0 📄 发布日：2026/07/28

著录项目信息

申请日

2019-09-02

申请人

华南师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_88 , H01L21_329 , H01L21_02 , H02M7_06 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

半导体外延生长半导体外延生长功率半导体器件二极管

应用场景

电力电子, 电源转换, 整流器, 半导体器件, 电子设备

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摘要

本申请提供一种外延晶片、外延晶片制造方法、二极管及整流器，其中，外延晶片中包括Si基底层；形成于所述Si基底层的绝缘层；形成于所述绝缘层远离所述Si基底层的一面的氮化物半导体层；其中，所述绝缘层的厚度构造成在正向偏置电压下，该绝缘层可以允许电子和空穴通过量子隧穿从该绝缘层一侧穿至另一侧与相应的空穴和电子复合，从而允许正向电流流动。在反向偏向下，该绝缘层可以阻碍自由电子和空穴的形成，从而阻塞反向电流。如此，使外延晶片具有了仅允许电流单向通过的特性，可以被制作成如二极管等于整流器件。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号：

购买这项专利需要经过哪些流程？

平台提供担保交易、全程代办转让手续。买家可委托平台代购，平台协助完成权属尽调、合同签署、国家知识产权局著录项目变更等流程。

该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于水银热胀冷缩调控的宽带转移吸波器

当前第 / 件

一种基于人工磁导体的四阶耦合谐振器滤波器

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：96 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 2657件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

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陈**¥-3万

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