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发明专利
已授权
一种硅系太阳能电池和其制备方法与制备装置以及其表面结构
📄 申请号:CN201410182303.X
📄 发布日:2026/07/23
著录项目信息
申请日
2014-04-30
公开号
CN103928542B
公开日
2017-04-05
申请人
陕西师范大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L31_0352
IPC 分类号
H01L31_0352
,
H01L31_04
,
H01L31_18
,
技术画像
所属领域
太阳能电池
太阳能电池
硅基半导体材料
光伏器件制备工艺
应用场景
光伏发电, 太阳能电池, 可再生能源, 分布式发电, 光伏电站
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摘要
本发明提供一种硅系太阳能电池表面结构包括在硅系太阳能电池表面上形成的凹坑和坐落在凹坑内的金属颗粒。还提供采用本发明所述表面结构的一种量子效率高的硅系太阳能电池,以及一种操作简单,成本低廉能够制备该硅系太阳能电池的方法,包括如下步骤:制备反应溶液,制备金属颗粒,刻蚀得到如本发明所述的硅系太阳能电池。还提供一种硅系太阳能电池的制备装置,包括用于加热硅系太阳能电池片的加热装置,用于将反应溶液喷涂到被加热硅系太阳能电池片上的喷涂装置,用于容纳刻蚀液的容纳装置。本发明是通过内部坐落金属颗粒的凹坑改变硅系太阳能电池表面的织态结构,产生协同作用,当光线照射到金属颗粒时产生表面等离子体共振效应,提高转换效率。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20170405
✅ 授权
20140813
?? 实质审查的生效 :
20140716
📄 公开
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