发明专利已授权

一种硅基太阳能电池及其单晶硅片钝化方法

📄 申请号：CN201510536607.6 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2015-08-27

公开号

CN105244411B

公开日

2017-10-20

申请人

陕西师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_18

IPC 分类号

H01L31_18 , H01L31_0216 ,

技术画像

所属领域

太阳能电池太阳能电池晶硅电池表面钝化技术

应用场景

光伏发电, 太阳能电池制造, 新能源

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摘要

本发明提供一种硅基太阳能电池及其单晶硅片钝化方法，包括如下步骤，1)单晶硅片的清洗：对单晶硅进行清洗去除其表面的氧化层和金属离子以及有机物；2)单晶硅片脱水：将清洗干净的单晶硅片进行干燥脱水；3)氢化非晶硅锗的沉积：将干燥的单晶硅片放入等离子增强化学气相沉积系统中预热，在180℃‑220℃的沉积温度和10W‑20W的等离子体激发功率下，在硅烷、锗烷和氢气气氛中对单晶硅片双面进行氢化非晶硅锗的沉积后，完成对单晶硅片的钝化。本发明所述的钝化方法，在180℃‑220℃的环境中可以实现整个钝化过程，降低了热损伤。整个钝化过程中等离子激发功率10W‑20W，降低了等离子体的损伤。少子寿命高，钝化效果好。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20171020

✅ 授权

20160210

?? 实质审查的生效：

20160113

📄 公开

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