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发明专利
已授权
易除液相源残留的单畴钇钡铜氧超导块材及其制备方法
📄 申请号:CN201610693174.X
📄 发布日:2026/07/23
著录项目信息
申请日
2016-08-19
公开号
CN106348747A
公开日
2017-01-25
申请人
北京临界领域科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
C04B35_45
IPC 分类号
C04B35_45
,
C04B35_622
,
H01B12_00
,
技术画像
所属领域
超导材料
超导材料
钇钡铜氧超导块材
单畴制备工艺
应用场景
超导磁体, 磁悬浮技术, 核磁共振成像, 电力传输, 储能系统
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摘要
本发明属于高温铜氧化物超导材料技术领域,具体涉及一种易除液相源残留的单畴钇钡铜氧超导块材制备方法。本发明的方法包括配制固相源粉、配制液相源粉、压制固相先驱块和液相源先驱块、压制第一固液隔离层和第二固液隔离层、压制Yb2O3支撑块、装配先驱块、熔渗生长单畴钇钡铜氧块材、渗氧处理步骤。本发明提供了一种装配先驱块的新技术,既能实现液相源先驱块中液相的熔渗,又能保证单畴钇钡铜氧超导块材的生长,同时又能极易实现已生长单畴钇钡铜氧超导块材与液相源残留块的分离;不仅大大简化了对液相源残留块的后续切除加工过程,也避免了已生长单畴钇钡铜氧超导块材在分离过程中被破坏的可能性。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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