发明专利已授权

一种单晶硅基异质结太阳能电池及其制备方法

📄 申请号：CN201610785368.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-08-30

公开号

CN106206781B

公开日

2018-10-26

申请人

陕西师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_0352

IPC 分类号

H01L31_0352 , H01L31_076 , H01L31_18 , B82Y20_00 , B82Y30_00 ,

技术画像

所属领域

太阳能电池太阳能电池异质结电池单晶硅材料

应用场景

光伏发电, 可再生能源, 分布式发电, 大型光伏电站

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摘要

本发明一种单晶硅基异质结太阳能电池及其制备方法，所述电池包括依次层叠的ITO层、a‑Si p层、a‑Si i层、基底、a‑Si i层、a‑Si n层和ITO层，以及在ITO层和a‑Si p层间插入高掺杂的a‑Si p+层，或在ITO层和a‑Si n层间插入高掺杂的a‑Si n+层。所述方法将基底在等离子增强化学气相沉积设备中，分步进行异质结太阳能电池的a‑Si i层、a‑Si n层和a‑Si p层沉积；在电池的a‑Si p/ITO层界面或a‑Si n/ITO层界面中沉积高掺杂的a‑Si p+层或高掺杂的a‑Si n+；最后沉积ITO电极得到硅基异质结太阳能电池。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种晶体硅系太阳能电池及其表面纳米复合结构制备方法

当前第 / 件

一种利用层状硅酸钠沉淀铬鞣废液及铬资源回收的方法

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