发明专利已授权

低频低介电损耗的AgNb共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法

📄 申请号：CN201711021284.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2017-10-26

公开号

CN107640970A

公开日

2018-01-30

申请人

陕西师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_46

IPC 分类号

C04B35_46 , C04B35_622 ,

技术画像

所属领域

介电陶瓷介电陶瓷功能陶瓷电子陶瓷材料

应用场景

电子元器件, 陶瓷电容器, 储能器件, 介质谐振器, 电子陶瓷基板

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摘要

本发明公开了一种低频低介电损耗的AgNb共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的通式为(Ag1/4Nb3/4)xTi1-xO2，其中x表示摩尔分数，x的取值为0.005～0.01。本发明陶瓷材料的制备方法简单、重复性好、成品率高，通过在Nb单掺的二氧化钛基陶瓷材料中引入金属元素Ag，使陶瓷材料在频率为40～106Hz范围内具有高介电常数(＞104)、低介电损耗(＜0.09)，尤其是显著降低了陶瓷材料的低频介电损耗，在40～103Hz频率范围内介电损耗始终保持在0.06以下，同时具有优异的频率及温度稳定性，保持在-10％～10％之间，符合陶瓷电容器的参数要求，具有巨大的应用价值。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20191203

✅ 授权

20180306

?? 实质审查的生效：

20180130

📄 公开

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