发明专利 已授权

一种插入AlInGaN势垒层结构的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池

📄 申请号:CN201910620764.3 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2019-07-10
申请人
陕西科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

应用场景

太阳能光伏发电, 空间电源, 聚光光伏, 高效光伏器件

摘要

本发明公开了一种插入AlInGaN势垒层结构的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池,包括一衬底,衬底上依次设有GaN层和n型掺杂GaN层,n型掺杂GaN层上一侧有一台面,n型掺杂GaN层上表面依次设有超晶格层、非掺杂GaN缓冲层、非掺杂InGaN/GaN多量子阱层、GaN势垒层、AlInGaN势垒层和p型掺杂GaN层,p型掺杂GaN层上设有多个p型电极,p型电极之间通过透明电极层连接;n型掺杂GaN层台面上设有n型电极。本发明通过在外延p‑GaN之前插入一层AllnGaN层来对改进p‑GaN结构,使该层结构具有较好的晶格匹配和较低的热膨胀系数,空穴载流子的输运效率提高,光电转化率达到1.96%。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图2
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