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发明专利
已授权
一种氧化镓纳米晶薄膜日盲紫外探测器及其制备方法
📄 申请号:CN201910884320.0
📄 发布日:2026/07/23
著录项目信息
申请日
2019-09-19
公开号
CN110676339B
公开日
2021-07-20
申请人
西安工业大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L31_102
IPC 分类号
H01L31_102
,
H01L31_0224
,
H01L31_032
,
H01L31_0368
,
H01L31_18
,
技术画像
所属领域
紫外探测
光电子器件
半导体薄膜
纳米材料
紫外探测
应用场景
火焰报警, 高压电晕检测, 紫外通信, 环境监测, 导弹预警
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摘要
本发明涉及对于氧化镓纳米晶薄膜在日盲紫外光电探测方面的应用,具体涉及一种氧化镓纳米晶薄膜日盲紫外探测器及其制备方法。本发明采用单晶Si作为衬底,并采用电子束蒸发技术,在其上先沉积SiO2薄膜隔离层;然后再沉积Ga2O3薄膜日盲紫外吸收层,经过退火处理使吸收层形成纳米晶结构;再通过电子束蒸发及快速热处理技术将Au/Ti双层金属叉指电极制备于吸收层上,即可得到成本低廉、工艺要求简单、重复性好、可大规模制造且具有良好光电响应的日盲紫外光探测器件。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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当前第 / 件
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