发明专利 已授权

一种氧化镓纳米晶薄膜日盲紫外探测器及其制备方法

📄 申请号:CN201910884320.0 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2019-09-19
公开号
CN110676339B
公开日
2021-07-20
申请人
西安工业大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

应用场景

火焰报警, 高压电晕检测, 紫外通信, 环境监测, 导弹预警

摘要

本发明涉及对于氧化镓纳米晶薄膜在日盲紫外光电探测方面的应用,具体涉及一种氧化镓纳米晶薄膜日盲紫外探测器及其制备方法。本发明采用单晶Si作为衬底,并采用电子束蒸发技术,在其上先沉积SiO2薄膜隔离层;然后再沉积Ga2O3薄膜日盲紫外吸收层,经过退火处理使吸收层形成纳米晶结构;再通过电子束蒸发及快速热处理技术将Au/Ti双层金属叉指电极制备于吸收层上,即可得到成本低廉、工艺要求简单、重复性好、可大规模制造且具有良好光电响应的日盲紫外光探测器件。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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