发明专利已授权

一种消除负阻效应的RC-IGBT器件结构

📄 申请号：CN202010023986.X 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-01-09

公开号

CN111211167B

公开日

2022-04-01

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_739

IPC 分类号

H01L29_739 , H01L29_06 , H01L21_331 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘栅双极晶体管半导体器件结构

应用场景

电力电子, 新能源发电, 电动汽车, 轨道交通, 工业控制

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摘要

本发明提供了一种消除负阻效应的RC‑IGBT器件。该RC‑IGBT器件与传统器件相比，在N型集电区和P型集电区上方有混合交替排列的N型和P+型缓冲层，且最靠近N型集电区的P+柱边缘超过N型缓冲层。由于上述混合交替排列N型和P型的缓冲层对场截止区的多区段的隔离作用，电子或空穴需要爬过多个P型区域，增长了载流子运动路径，从而增大了RC‑IGBT器件在导通初期N型集电区上方电势差，使得该PN结更容易开启，器件更容易从单极导通转换为双极导通，进而抑制了RC‑IGBT器件在导通初期所产生的Snapback效应。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种非级联的永磁同步电动机无差拍预测控制方法

当前第 / 件

一种适用于无人机的反向散射安全通信方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_739)

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