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发明专利
已授权
金纳米阵列衬底及其与近红外量子剪裁发光材料的复合结构及制备方法
📄 申请号:CN202010667755.2
📄 发布日:2026/07/23
著录项目信息
申请日
2020-07-13
公开号
CN111682085B
公开日
2022-06-07
申请人
闽江学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L31_055
IPC 分类号
H01L31_055
,
B82B3_00
,
B82Y20_00
,
B82Y30_00
,
B82Y40_00
,
技术画像
所属领域
复合结构
纳米材料
发光材料
表面等离激元
复合结构
应用场景
近红外发光器件, 生物成像, 光学传感, 太阳能电池, 光通信
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摘要
本发明提出一种金纳米阵列衬底及其与近红外量子剪裁发光材料的复合结构及制备方法,首先,设计了一种具有单模、窄线宽、高品质因子的表面晶格共振峰的金纳米阵列衬底,在此基础上,构筑阵列衬底与近红外量子剪裁发光材料的复合结构,利用高度局域化的表面晶格共振增强特定波长的三光子近红外量子剪裁发光。该发明的制备工艺简单、操作方便、成本较低,能够提供一种高效的太阳能电池光转换片,提高太阳能电池的光电转换效率,适宜推广。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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当前第 / 件
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