发明专利已授权

一种氮化硅陶瓷烧结的前处理方法、氮化硅陶瓷及其制备方法

📄 申请号：CN202011103898.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-10-15

公开号

CN112209725A

公开日

2021-01-12

申请人

郑州航空工业管理学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_622

IPC 分类号

C04B35_622 , C04B35_584 ,

技术画像

所属领域

氮化硅陶瓷氮化硅陶瓷陶瓷烧结工艺陶瓷制备方法

应用场景

半导体设备, 机械密封, 轴承, 切削工具, 高温结构件

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摘要

本发明属于氮化硅陶瓷技术领域，具体涉及一种氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，还涉及一种氮化硅陶瓷及其制备方法。本发明的氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，包括以下步骤：在烧结容器中，将氮化硅坯体包埋入氮化硅粉体中，然后在氮化硅粉体表面覆盖盖板，之后在盖板上平铺二氧化硅粉；所述盖板为惰性耐火陶瓷板。本发明的前处理方法有效避免了氮化硅陶瓷在空气气氛烧结中的氧化，也可有效减少氮化硅埋粉的氧化，实现了氮化硅陶瓷在空气气氛中的烧结；并且所用氮化硅埋粉和二氧化硅粉容易分离，且可反复多次复用，可大幅降低埋粉消耗，减少成本。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种支持直流电流源输入的单级隔离式变换器

当前第 / 件

一种基于两阶段故障调节和叠加分量的微电网保护方法

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议价

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