发明专利已授权

具有高阈值电压的SiCMOSFET及制造方法

Name: 具有高阈值电压的SiCMOSFET及制造方法
Brand: 西安理工大学
SKU: 2021114929297
Availability: InStock

📄 申请号：CN202111492929.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-12-08

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_78

IPC 分类号

H01L29_78 , H01L29_06 , H01L21_336 ,

技术画像

所属领域

碳化硅功率器件碳化硅功率器件功率半导体 MOSFET器件

应用场景

新能源汽车, 光伏逆变器, 工业电源, 充电桩, 智能电网

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摘要

本发明公开了一种具有高阈值电压的SiC MOSFET，在衬底上表面依次外延有耐压外延层、电流扩展外延层；电流扩展外延层上表面间隔嵌有多个第一p阱区，每个第一p阱区中包围有一个第二p阱区；每个第三p阱区对应遮蔽一个第二p阱区下表面；每个第二p阱区上表面嵌有一个n+源区；相邻第一p阱区之间的电流扩展外延层上表面，依次间隔嵌有p+屏蔽区和一个p+发射区；还包括栅氧化层、多晶硅栅及钝化介质层；另外还包括源极/漏极欧姆接触金属、隔离介质层、源极/栅极/漏极PAD金属。本发明还公开了上述SiC MOSFET的制造方法。本发明SiC MOSFET，阈值电压更高，导通特性与阻断特性良好。

常见问题

这项专利是否已经下证？

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当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240202

?? 专利权的转移：

20231229

?? 专利权的转移：

20230203

✅ 授权

20220520

?? 实质审查的生效：

20220429

📄 公开

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：63 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 2657件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

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购买这项专利需要经过哪些流程？

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