发明专利已授权

一种MgF2陶瓷材料作为超低介微波介质陶瓷的应用

📄 申请号：CN202111633420.X 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-12-29

公开号

CN114105642B

公开日

2023-02-03

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_553

IPC 分类号

C04B35_553 , C04B35_622 , C04B35_64 , C04B35_634 ,

技术画像

所属领域

陶瓷材料陶瓷材料微波介质陶瓷无机非金属材料

应用场景

5G通信, 卫星通信, 微波器件, 电子陶瓷

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摘要

本发明涉及电子信息材料及其器件技术领域，尤其涉及一种MgF2陶瓷材料作为超低介微波介质陶瓷的应用。本发明提供了MgF2陶瓷材料作为微波介质陶瓷的应用思路，MgF2陶瓷材料同时具备较高的热导率和超低的介电常数（4.60–4.70），解决了现有微波介质中陶瓷基材料的介电常数高、高分子基FR4热导率低的问题。而且MgF2陶瓷材料介电常数与商用的高分子基FR4板接近，同时具有FR4板不能比拟的超低介电损耗（Qf=85983–103086GHz），在未来毫米波通讯领域具有十分重大的应用前景。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230203

✅ 授权

20220318

?? 实质审查的生效：

20220301

📄 公开

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