发明专利已授权

一种抗总剂量辐射效应的SOI LDMOS器件加固结构

📄 申请号：CN202210247580.9 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2022-03-14

公开号

CN114613843B

公开日

2023-06-27

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_78 , H01L21_336 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件辐射加固技术功率半导体器件

应用场景

航天电子, 核工业环境, 卫星载荷, 高可靠功率电路, 军事电子

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摘要

本发明公开了一种抗总剂量辐射效应的SOI LDMOS器件加固结构。本发明通过外延方法在埋氧层2的界面生长一层薄的N‑扩展层，该N‑扩展层可吸取因辐照在埋氧层引入固定正电荷镜像产生的电子；通过离子注入方法在浅槽隔离氧化层的下表面的拐角附近形成一个P保护区，该P保护区能够降低浅槽隔离拐角附近体硅内部电场峰值，从而提高器件的横向击穿电压；通过高能离子注入方法在漂移区形成一个P‑柱区15，该P‑柱区能够起到电导调制作用，在同一耐压条件下可以提高漂移区浓度对击穿电压的变化窗口。本发明在相同耐压条件下不但降低了比导通电阻，还可以大幅度提高器件的抗总剂量性能，从而保证SOI LDMOS器件在空间辐射环境中长时间稳定工作。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

OCTA图像的三维皮层表面分割方法及系统

当前第 / 件

一种氯丁胶包裹硅颗粒制备硅碳纳米杂化材料的方法、锂离子电池负极

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_06)

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