发明专利已授权

具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池及制作方法

📄 申请号：CN201810380972.6 📄 发布日：2026/06/26

著录项目信息

申请日

2018-04-25

公开号

CN108767047B

公开日

2019-12-31

申请人

西安纳智光研科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_0725

IPC 分类号

H01L31_0725 , H01L31_074 , H01L31_054 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

三结太阳电池三结太阳电池化合物半导体光电器件微纳减反结构

应用场景

光伏发电, 空间能源系统, 聚光光伏, 航天器电源

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摘要

本发明公开了一种具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池及制作方法，包括InGaP/InGaAs/Ge三结电池以及顶部表面的微纳结构，表面是六方周期性排布的复合微纳减反结构，本发明主要利用纳米软压印技术，制备出具有微纳减反结构的InGaP/InGaAs/Ge三结太阳电池器件，包括微纳条栅结构和复合微纳凸起(凹陷)结构。该结构具有极低的表面反射率，通过调节复合微纳结构的高度及填充因子，使光从空气进入到太阳电池时实现介质折射率缓慢变化，这种等效的折射率缓变结构，减缓了传统电池表面和界面处折射率变化的剧烈程度，极大地降低反射率，同时增加光程，提高有效光吸收，从而实现太阳电池的高转换效率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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议价

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：90 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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