发明专利已授权

一种窄带隙二维磁性薄膜异质结非制冷红外探测器

📄 申请号：CN202110400291.3 📄 发布日：2026/06/24

著录项目信息

申请日

2021-04-14

公开号

CN113130681A

公开日

2021-07-16

申请人

安徽大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_032

IPC 分类号

H01L31_032 , H01L31_0232 , H01L31_0224 , H01L31_0352 , H01L31_113 , G01J5_20 ,

技术画像

所属领域

磁性薄膜红外探测技术异质结器件二维材料磁性薄膜

应用场景

红外成像, 热成像, 安防监控, 军事夜视, 工业检测

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摘要

一种基于层状材料异质结的光电探测器，包括在衬底上设有自下到上的结构：衬底绝缘层，底面反射电极层，所述电极层置于所述衬底绝缘层上；异质结包括n‑型二维层状薄膜材料薄膜，p‑型二维层状薄膜材料薄膜层在上述n‑型二维层状薄膜材料薄膜层上，上述二维层状异质结置于所述底电极层上，其中异质结结区与底面反射电极层重合且紧密接触；顶电极层，所述顶电极层设置在所述p‑n结上方p‑型二维材料的一侧或部分区域；透明顶栅绝缘层，所述透明顶栅绝缘层覆盖在整个异质结器件正上方，透明顶栅绝缘层包括高介电材料如二氧化铪和PMMA；所述的透明顶栅电极设置在p‑n结正上方，包含石墨烯、ITO等透明材料。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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