发明专利已授权

基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器

Name: 基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 2020102164340
Availability: InStock

📄 申请号：CN202010216434.0 📄 发布日：2026/10/08

著录项目信息

申请日

2020-03-25

公开号

CN111244203B

公开日

2022-01-11

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_032

IPC 分类号

H01L31_032 , H01L31_109 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

日盲紫外探测, 火焰监测, 导弹预警, 高压设备放电检测, 紫外通信

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摘要

本发明公开了一种基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，衬底材料上形成Ga2O3/CuI异质PN结，所述Ga2O3/CuI异质PN结包括设置在衬底材料上的N型Ga2O3层以及设置在该Ga2O3层部分区域上的P型CuI层；在所述CuI层上形成正极，在所述Ga2O3层的另外区域上形成负极；当一定波长的紫外光照射所述Ga2O3/CuI异质PN结时，所述正极和负极之间将会产生光生载流子，以此实现紫外探测。采用本发明的技术方案，具有如下优点：(1)结构简单，工艺成本低。(2)Ga2O3和CuI同为宽禁带半导体，所以该器件为日光盲紫外探测器，无需加滤光片。(3)光生空穴和电子的瞬间分离，可以增加光生载流子的寿命，提高探测性能。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN111244203B

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该专利的转让价格是多少？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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