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发明专利
已授权
一种快速低温制备致密TiC陶瓷的方法
📄 申请号:CN202210148151.6
📄 发布日:2026/05/18
著录项目信息
申请日
2022-02-17
公开号
CN114591084B
公开日
2023-08-18
申请人
惠州学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
C04B35_56
IPC 分类号
C04B35_56
,
C04B35_622
,
C04B35_63
,
C04B35_64
,
C04B35_645
,
技术画像
所属领域
碳化钛陶瓷
碳化钛陶瓷
陶瓷制备工艺
低温烧结技术
应用场景
切削工具, 耐磨部件, 高温结构材料, 航空航天, 机械加工
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摘要
本发明公开了一种快速低温制备致密TiC陶瓷的方法,本发明的快速低温制备TiC陶瓷的方法是:采用化学沉淀法在TiC基体颗粒表面引入氧化铝纳米颗粒,通过SPS技术一步和两步快速烧结技术,可在1500℃和1400℃制备出几乎完全致密的TiC陶瓷,相对于同样致密度的纯TiC陶瓷,其断裂韧性也得到了显著提高。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
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