实用新型已授权

一种碳化硅MOS

📄 申请号：CN202223304446.2 📄 发布日：2026/05/14

著录项目信息

申请日

2022-12-10

公开号

CN218918896U

公开日

2023-04-25

申请人

上海亥芯电子科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L29_78

IPC 分类号

H01L29_78 , H01L21_265 , H01L21_336 ,

技术画像

所属领域

碳化硅半导体器件碳化硅半导体器件功率MOSFET 功率半导体器件

应用场景

电动汽车, 光伏逆变器, 充电桩, 工业电源, 储能系统

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摘要

本实用新型涉及半导体技术领域，具体公开了一种碳化硅MOS，包括N型漂移层，所述N型漂移层底部连接绝缘层，所述N型漂移层顶部设有源极和漏极，所述源极处设有P+基底和N+区，所述漏极处设有N+区，所述N型漂移层顶部还设有栅极；本实用新型采用水平结构，制成简化，N型漂移层只要用离子布置就可以达成，减少外延层的使用，N+区和N型漂移层可组成U型结构，只要增加源极至漏极的距离，就可以增加崩溃电压，源极至漏极的的导通电阻容易调整，通道接近碳化硅MOS表面。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种排水量计量装置

当前第 / 件

一种Power MOSFET和MOSFET driver结合的IC封装

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_78)

H01L29_06 H01L29_08 H01L29_10 H01L29_20 H01L29_24 H01L29_40 H01L29_41 H01L29_417 H01L29_423 H01L29_47 H01L29_51 H01L29_73 H01L29_737 H01L29_739 H01L29_74 H01L29_745 H01L29_772 H01L29_778 H01L29_78 H01L29_786 H01L29_788 H01L29_861 H01L29_868 H01L29_872 H01L29_88 H01L29_93 覆盖26个领域

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