实用新型已授权

一种Power MOSFET和MOSFET driver结合的IC封装

📄 申请号：CN202223342294.5 📄 发布日：2026/05/14

著录项目信息

申请日

2022-12-14

公开号

CN218939682U

公开日

2023-04-28

申请人

上海亥芯电子科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L25_18

IPC 分类号

H01L25_18 , H01L25_065 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件集成电路封装 MOSFET驱动电路

应用场景

电源管理, 功率转换, 电机驱动, 汽车电子, 消费电子

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摘要

本实用新型涉及半导体技术领域，具体公开了一种Power MOSFET和MOSFET driver结合的IC封装，包括Multi‑dies IC，所述Multi‑dies IC上封装Driver IC晶粒和Power MOSFET晶粒；本实用新型中把两种功能的晶粒在封装中做合并，就可以用一个IC的空间来做本来两个IC的功能，进而节省了系统板的面积。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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