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发明专利
已授权
一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模型
📄 申请号:CN202010219080.5
📄 发布日:2026/05/07
著录项目信息
申请日
2020-03-25
公开号
CN111490096A
公开日
2020-08-04
申请人
燕山大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L29_737
IPC 分类号
H01L29_737
,
G06F30_39
,
技术画像
所属领域
半导体器件
半导体器件
异质结双极晶体管
器件建模与仿真
应用场景
射频集成电路, 无线通信, 高速数字电路, 微波通信, 功率放大器
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摘要
本发明公开了一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模型,属于半导体集成电路技术领域,包括本征NPN晶体管单元,寄生衬底PNP晶体管单元,衬底匹配网络单元,BC寄生等效电路单元,BE寄生等效电路单元,以及发射区、基区和集电区寄生等效电阻。本发明能精确反映异质结双极晶体管器件物理本质,准确的模拟器件特性,且参数少、提取过程简单,同时可以将所建立的等效电路模型嵌入仿真软件,适用于模拟高频集成电路仿真设计。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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