发明专利已授权

一种Mg3B2O6-Ba3(VO4)2复合陶瓷材料及制备方法

📄 申请号：CN202010648727.6 📄 发布日：2026/08/07

著录项目信息

申请日

2020-07-08

公开号

CN111925207B

公开日

2022-06-07

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_495

IPC 分类号

C04B35_495 , C04B35_626 , C04B35_634 , C04B35_64 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

微波通信, 射频器件, 介质谐振器, 5G通信基站, 卫星通信

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摘要

本发明公开一种Mg3B2O6‑Ba3(VO4)2复合陶瓷材料及制备方法，其陶瓷材料主晶相为Mg3B2O6和Ba3(VO4)2，原料成分为MgO，H3BO3，BaCO3，NH4VO3。由于H3BO3高温烧结时升华分解的特性，因此H3BO3要进行在配平的基础上适度超量，从而合成纯相的Mg3B2O6微波介质陶瓷，然后通过调整Ba3(VO4)2在陶瓷体中的比例，合成不同性能的Mg3B2O6‑Ba3(VO4)2复合陶瓷材料。该复合陶瓷材料的介电常数范围是8.50～8.90，品质因数范围是44,000GHz～46,000GHz，温度系数范围是‑12.00ppm/℃～+4.00ppm/℃。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

Mg3B2O6-CaTiO3复合微波介电陶瓷材料及制备方法

当前第 / 件

吡啶-2,3-二羧酸的应用

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