发明专利已授权

一类稀土氧化物基高熵氧离子导体材料及其制备方法

📄 申请号：CN202311129408.4 📄 发布日：2026/05/29

著录项目信息

申请日

2023-09-04

公开号

CN117049876B

公开日

2024-05-17

申请人

桂林理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_50

IPC 分类号

C04B35_50

技术画像

所属领域

高熵氧化物材料高熵氧化物材料氧离子导体材料稀土功能材料

应用场景

固体氧化物燃料电池, 氧传感器, 氧分离膜, 固体电解质, 高温电化学器件

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摘要

本发明公开了一类稀土氧化物基高熵氧离子导体材料及其制备方法，具体材料为(DyxErxYbxLuxMe1‑x)2O3‑δ(Me=Zr4+、Mg2+、Ca2+、Ba2+)，制备方法是按照化学式计量比组成称量配料，使用研钵反复研磨得到混合物；将混合物压片，放入高温烧结马弗炉中，在1300°C下预烧12小时。再研磨后，在1600°C下烧制12小时，得到致密的陶瓷片。本发明将多种稀土离子和异价离子进行高熵化设计，结合得到稀土氧化物基高熵氧离子导体材料，制备工艺简单，热稳定性和化学稳定性好，即使在高温800℃、湿润CO2气氛下保温72 h也未发生相变，在氧化物燃料电池电解质方面，具有广泛的应用前景。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一类氧化铋基中低熵氧离子导体材料及其制备方法

当前第 / 件

一种极高间隙氧含量的白钨矿结构高熵氧离子导体材料及其制备方法

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