发明专利已授权

一种单晶硅太阳能电池减反钝化膜的制备方法

📄 申请号：CN201710971386.4 📄 发布日：2026/01/12

著录项目信息

申请日

2017-10-18

公开号

CN107863394B

公开日

2019-04-30

申请人

三峡大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_0216

IPC 分类号

H01L31_0216 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

单晶硅太阳能电池技术薄膜钝化技术光伏材料制备晶硅太阳能电池单晶硅

应用场景

光伏发电, 晶硅太阳能电池, 新能源, 光伏组件制造

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摘要

本发明公开了一种单晶硅太阳能电池减反钝化膜的制备方法，该方法包括以下步骤：清洗单晶硅片；以甲烷和氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅表面沉积一层氢化氮化碳薄膜；以氢气稀释的硅烷和氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在氢化氮化碳薄膜表面沉积一层氢化氮化硅薄膜；以氢气稀释的硅烷、高纯甲烷和高纯氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在氢化氮化硅薄膜表面制备一层含氢的碳氮化硅薄膜。该方法通过修饰单晶硅表面化学键、调整三层膜中各元素原子浓度比及各层膜厚度，从而提高薄膜钝化效果和减反射特性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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议价

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