发明专利已授权

一种具有漏端肖特基接触的超结MOSFET

📄 申请号：CN202010994844.8 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2020-09-21

公开号

CN111969063B

公开日

2021-07-09

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_78

IPC 分类号

H01L29_78 , H01L29_08 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件超结MOSFET 半导体制造工艺

应用场景

电源管理, 新能源汽车, 工业自动化, 光伏逆变器, 充电桩

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摘要

本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有漏端肖特基接触的超结MOSFET。相对于传统的超结MOSFET，本发明在器件的漏极一侧引入肖特基接触，其由延伸到器件漏极的N型漂移区与漏极金属形成。在反向导通时，漂移区内的空穴可以通过此肖特基接触泄放，并且此肖特基接触不向漂移区内注入电子，因此漂移区内的电荷数量极大地降低。本发明的有益成果：体二极管反向导通时注入的电荷降低明显，从而反向恢复过程中的反向恢复电荷极大地降低，反向恢复特性得以显著改善。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210709

✅ 授权

20201208

?? 实质审查的生效：

20201120

📄 公开

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