发明专利已授权

一种具有变掺杂场截止层的超结逆阻型IGBT

📄 申请号：CN201910738050.2 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2019-08-12

公开号

CN110391290B

公开日

2020-07-31

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_739 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件超结结构场截止层技术

应用场景

新能源汽车, 工业自动化, 智能电网, 轨道交通, 风力发电

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摘要

本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有变掺杂场截止层的超结逆阻型IGBT。相对于传统的超结逆阻型IGBT，本发明采用在漂移区中设置超结结构以及将第一N型层浓度分布进行优化：其浓度呈现从左向右逐渐增加。超结结构的引入使得器件漂移区中的电场近似为矩形分布，与传统NPT逆阻型IGBT三角形的纵向电场分布相比，可以在更短的漂移区长度下取得相同的耐压，从而提高了器件的导通压降与关断损耗的折中关系。本发明通过优化第一N型层的浓度分布，使器件正向耐压时第一N型层处不发生穿通，反向耐压时第一N型层上可以被完全耗尽并且此处的峰值电场更均匀。本发明的有益成果：实现双向耐压，同时优化了导通压降以及关断损耗的折中关系。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种具有部分P型漂移区的IGBT

当前第 / 件

一种具有漏端肖特基接触的超结MOSFET

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_06)

H01L29_06 H01L29_08 H01L29_10 H01L29_20 H01L29_24 H01L29_40 H01L29_41 H01L29_417 H01L29_423 H01L29_47 H01L29_51 H01L29_73 H01L29_737 H01L29_739 H01L29_74 H01L29_745 H01L29_772 H01L29_778 H01L29_78 H01L29_786 H01L29_788 H01L29_861 H01L29_868 H01L29_872 H01L29_88 H01L29_93 覆盖26个领域

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