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发明专利
已授权
一种槽栅双极型晶体管
📄 申请号：CN201810748803.3
📄 发布日：2025/12/10
著录项目信息
申请日
2018-07-10
公开号
CN108922923B
公开日
2020-09-29
申请人
电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L29_739
IPC 分类号
H01L29_739
,
H01L29_10
,
H01L29_423
,
技术画像
所属领域
功率半导体器件
功率半导体器件
沟槽栅结构
绝缘栅双极型晶体管
应用场景
电力电子, 新能源, 工业控制, 轨道交通, 智能电网
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摘要
本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种槽栅双极型晶体管。本发明属于三维结构，主要方案是采用封闭状沟槽栅结构，并往沟槽栅反向水平缩小了P型基区，使得沟槽结构能更充分的与N‑漂移区1接触，形成产生反型层沟道的反型栅结构和产生电子积累层的积累栅结构。所以，在器件导通的时候，积累栅产生的电子积累层通过反型栅产生的沟道相连到发射极上去，形成发射极双注入，电子注入的效率被极大增强，降低了导通压降。此外，本发明采用微小的分离的P型基区，减少了反偏PN结对N漂移区中空穴的抽取，提高了发射极一侧载流子的浓度，起到了辅助降低导通压降的作用。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
一种槽栅双极型晶体管
当前第 / 件
一种基于阴极短路栅控晶闸管的双向直流固态断路器
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