发明专利已授权

一种槽栅双极型晶体管

📄 申请号：CN201910233361.3 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2019-03-26

公开号

CN109920841B

公开日

2020-12-18

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_417 , H01L29_739 ,

技术画像

所属领域

半导体功率器件半导体功率器件槽栅结构双极型晶体管

应用场景

电力电子, 新能源汽车, 工业控制, 光伏逆变器, 储能系统

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摘要

本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种槽栅双极型晶体管。本发明的主要方案：一是采用了元胞区与假元胞区在水平方向交替排列的结构，假元胞区与元胞区通过金属化发射极相连，假元胞区内靠近发射极一侧的半导体浮空；二是在假元胞上表面垂直延伸进器件形成与发射极短接的沟槽结构，起到均匀电场的作用。本发明具有极低的功率损耗。在器件经受短路冲击时，由于本发明器件具有更加均匀的电场分布，降低了器件的碰撞电离率，抑制了器件热失效，使得器件具有更强的抗短路能力。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于阴极短路栅控晶闸管的直流固态断路器

当前第 / 件

一种槽栅双极型晶体管

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_06)

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