发明专利已授权

一种低导通电阻绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管

📄 申请号：CN201810954843.3 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2018-08-21

公开号

CN109065609B

公开日

2021-08-17

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_06

IPC 分类号

H01L29_06 , H01L29_739 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘体上硅(SOI)技术横向绝缘栅双极型晶体管

应用场景

功率集成电路, 电源管理, 工业自动化, 新能源汽车电驱动, 光伏逆变器

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摘要

本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种低导通电阻绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管。本发明对传统横向绝缘栅双极型晶体的阴极区进行了改造，通过隔离氧化层分隔成第一NMOS区、第二NMOS区和传统LIGBT区。第一NMOS的漏极通过金属互联与传统LIGBT的N+源区相连，第一NMOS的栅极通过金属互联与传统LIGBT的栅极相连作为本发明器件栅极，第二NMOS的漏极及栅极同时与传统LIGBT的P+源区相连，第一NMOS的源极通过金属互联与第二NMOS的源极连接在一起作为本发明器件的阴极。在线性工作区工作时，传统LIGBT区内发生了闩锁，漂移区中充满大量的电子空穴对，电导调制强烈，因此器件导通电阻极大地减小。另外，可以通过控制第二NMOS沟道的掺杂浓度来改变器件的饱和电流值，满足实际运用的需要。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种具有混合导电模式的LIGBT

当前第 / 件

一种低功耗绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_06)

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