发明专利已授权

一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法

📄 申请号：CN201610490201.3 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2016-06-27

公开号

CN106409895B

公开日

2019-05-10

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_739

IPC 分类号

H01L29_739 , H01L21_331 , H01L29_06 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件半导体制造工艺绝缘栅双极晶体管

应用场景

新能源汽车, 轨道交通, 工业自动化, 智能电网, 储能系统

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摘要

本发明涉及半导体技术，特别涉及一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法。本发明在传统槽栅型绝缘栅双极晶体管的基础上，通过在P‑base区内引入了N型重掺杂层，当器件正向导通时，空穴电流在埋层下方横向流动，经Rb产生横向压降，当电压降大于0.7V时，N型重掺杂层向漂移区和下P‑base区注入电子，发生强烈的电导调制，使得器件具有极低的导通压降，从而大大降低了器件导通损耗；在阻断态下，由于在沟槽边缘处没有向CSTBT一样的高浓度CS层且阻断电压主要由漂移区承受，因此器件的耐压不会受到N型重掺杂层的影响；在关断期间，漂移区内存储的空穴经过N型重掺杂层的开口区域被发射极抽出，表现出和传统器件一直的关断特性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20190510

✅ 授权

20170315

?? 实质审查的生效：

20170215

📄 公开

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