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本发明涉及一种功率器件封装结构及封装方法及封装方法，本发明功率器件封装结构包括芯片槽、与芯片槽一体的是可以单独用作一个电极的金属外壳、通过环形绝缘层固定在金属外壳的侧下方的引脚，以及用于器件密封的金属盖板。本发明的金属管壳可以做独立的电极使用，以贴片的形式焊接的在电路中；本封装所具有的四管腿结构可以满足新型功率器件对管脚数目的要求；与传统功率器件相比较本发明具有更大的用于安放芯片的芯片槽，而由金属制成的外管壳尺寸较小，可以实现高功率器件的大芯片小封装。

本发明涉及功率半导体技术领域，特别涉及一种能够提高抗总剂量辐照能力的结终端结构。本发明主要在场限环上方两侧设置不同厚度的场氧化层，并且环上方两侧均存在多晶硅场板，由于多晶硅场板下方的场氧化层厚度存在差异，因而两侧多晶硅场板在纵向上存在高度差，该交错形成的多晶硅场板结构与其下方场氧化层结构形成了具有电容作用的结构，重新分布削弱了由于总剂量辐照在右侧场板下方的电场形成的叠加作用，故而使得结终端在总剂量辐照后的耐压能力有一定提高。本发明在不增加结终端面积的前提下，提高了器件抗总剂量辐照能力，使得由于辐照引起的耐压下降减少，满足在大功率以及复杂环境应用下的需求。本发明尤其适用于功率半导体器件。