发明专利 已授权

一种双势垒肖特基二极管

📄 申请号:CN202010030727.X 📄 发布日:2025/12/10

著录项目信息

申请日
2020-01-13
公开号
CN111244190B
公开日
2021-02-12
申请人
电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

电源转换, 高频整流, 光伏逆变器, 电动汽车, 通信设备

摘要

本发明公开了一种双势垒肖特基二极管,将两个肖特基接触以背靠背的方式紧密制作在同一台面(中间台面)上,以从器件层面上获得偶对称的C‑V特性和奇对称的I‑V特性,使其在制作倍频器时,输出只有奇次谐波,而没有偶次谐波,以适用于高次倍频器的制作。而且两个肖特基接触的阴极通过缓冲层连接,不需要欧姆接触,降低了器件的串联电阻,有助于提高倍频效率。本发明结构简单,并且与普通的二极管工艺完全兼容,有助于简化倍频器的设计,在毫米波及太赫兹频段倍频器的设计中具有很好的实用性。

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是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN111244190B

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:143 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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