发明专利已授权

一种镁铁氧体基低损耗磁介材料及其制备方法

📄 申请号：CN201910362184.9 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2019-04-30

公开号

CN110078492A

公开日

2019-08-02

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_40

IPC 分类号

C04B35_40 , H01F1_34 ,

技术画像

所属领域

磁性材料磁性材料铁氧体材料低损耗介质材料

应用场景

微波通信器件, 天线基板, 电子元器件, 射频器件, 电磁兼容

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摘要

一种镁铁氧体基低损耗磁介材料，属于电子材料领域。所述磁介材料是以镁铁氧体作为基础材料，采用镨掺杂进行改性得到的，镨掺杂的镁铁氧体材料为Mg1-xCdxFe2-yPryO4尖晶石铁氧体材料，其中，x取值为0.1～0.3，y取值为0.02～0.08。本发明磁介材料利用Pr离子的改性，调节材料的磁性能和介电性能，实现了低温烧结和磁介近似相等，同时材料的合成工艺控制晶粒生长均匀，材料具有较低的磁损耗参数，在1MHz～30MHz的频率范围内具有等磁介性和低损耗性；该磁介材料作为天线基板材料时，可很好地实现天线的小型化，且有利于提高微带天线的辐射效率和带宽，为小尺寸无线通信设备的设计提供了新的方案。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210924

✅ 授权

20190827

?? 实质审查的生效：

20190802

📄 公开

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