发明专利已授权

一种高频硅锗异质结双极晶体管及其制造方法

📄 申请号：CN202010642151.2 📄 发布日：2026/04/16

著录项目信息

申请日

2020-07-06

公开号

CN111739939B

公开日

2024-12-06

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_737

IPC 分类号

H01L29_737 , H01L29_06 , H01L21_331 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件异质结双极晶体管半导体制造工艺

应用场景

射频通信, 5G通信, 高频集成电路, 无线通信设备

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摘要

本发明涉及一种高频硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在单晶Si衬底上淀积埋氧化层；在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；在集电区的一端刻蚀出凹槽形成STI隔离区，淀积填充重掺杂的Si材料；在基区的Ge组分采用阶梯型分布；在单晶Si薄层上淀积N+多晶硅作为发射极；在多晶Si发射极层、单晶Si薄层和基区SiGe薄层的两侧覆盖一层Si3N4应力膜，在发射区和基区同时引入单轴应力；光刻集电极、发射极和基极以外的金属，形成引线。本发明中在发射区和基区同时引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性，满足太赫兹频段对核心器件性能的要求。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20241206

✅ 授权

20201030

?? 实质审查的生效：

20201002

📄 公开

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：75 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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