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实用新型
已授权
一种IGBT侧框
📄 申请号:CN202021425150.4
📄 发布日:2025/11/23
著录项目信息
申请日
2020-07-20
公开号
CN212725319U
公开日
2021-03-16
申请人
苏州三湘利电子科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
实用新型
主分类号
H01L29_739
IPC 分类号
H01L29_739
,
H01L23_367
,
技术画像
所属领域
功率半导体器件
功率半导体器件
半导体封装结构
IGBT模块
应用场景
工业自动化, 新能源汽车, 光伏逆变器, 轨道交通, 电源变换
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摘要
本实用新型公开了一种IGBT侧框,所述主体的上端外表面设置有集电极,所述集电极的上端设置有P层,所述P层的上端外表面设置有缓冲区,所述缓冲去的上端外表面设置有基极,所述基极的上端设置有功率模块、N发射极和P基极,所述N发射极位于功率模块的一侧,所述P基极位于N发射极的下端一侧,通过设置的,功率模块,功率模块可以通过设置的振荡器将电压传输到欠压锁定在通过欠压锁定传输到误差放大器,在通过误差放大器传输到锁存脉宽调制器,在从锁存脉宽调制器传输到传输模块,使功率稳定,本实用新型所述的一种IGBT侧框,带来更好的使用前景。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
一种上台板前移旋转俯仰停车设备(停车设备)
当前第 / 件
一种骨架料带控制组件
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