发明专利已授权

一种具有体内导电沟道的薄层SOI-LDMOS器件

📄 申请号：CN202011407861.3 📄 发布日：2026/06/04

著录项目信息

申请日

2020-12-04

公开号

CN112466955A

公开日

2021-03-09

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_78

IPC 分类号

H01L29_78 , H01L29_10 , H01L29_423 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘体上硅（SOI）技术横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）

应用场景

功率集成电路, 电源管理, 射频功率放大, 汽车电子, 开关电源

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摘要

本发明涉及一种具有体内导电沟道的薄层SOI‑LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。该器件在传统薄层SOI‑LDMOS器件的基础上，将表面栅极转移到埋氧层中形成体内栅极，在P‑body下表面形成体内导电沟道。同时，在器件的漂移区刻蚀并填充二氧化硅，该器件具有以下优点：在正向导通时，体内栅电压对电流的控制能力有很大的提高，器件的跨导gmMAX相比与传统器件、传统超结器件分别提高了298.7％、87.1％，进一步在漂移区刻蚀并填充二氧化硅能提高漂移区的掺杂浓度进而减小器件的比导通电阻，最终提高器件的Baliga优值FOM。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种Co/C/MOS复合微波吸收材料的制备方法

当前第 / 件

一种便携式的多功能电力接线装置

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_78)

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