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发明专利
已授权
一种Co/C/MOS复合微波吸收材料的制备方法
📄 申请号:CN202011265542.3
📄 发布日:2026/05/22
著录项目信息
申请日
2020-11-13
公开号
CN112226204B
公开日
2023-03-14
申请人
南昌航空大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
C09K3_00
IPC 分类号
C09K3_00
,
C08G83_00
,
技术画像
所属领域
复合材料
复合材料
微波吸收材料
纳米材料
应用场景
电磁屏蔽, 雷达隐身, 微波暗室, 电子设备抗电磁干扰, 军事隐身技术
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摘要
本发明涉及一种Co/C/MOS复合微波吸收材料的制备方法,主要是解决现有吸波材料存在制备方法复杂、条件严苛、成本高和材料密度偏大、厚度高以及吸收带宽较窄等问题,利用表面活性剂构筑胶囊结构的Co‑MOF‑74@S‑MOFs,再热解这类双MOFs获得异质结构的Co/C/MOS复合微波吸收材料。本发明制备的微波吸收材料密度小,厚度薄下吸收强度高、有效吸收带宽较宽,并且具有良好的物理化学性能和机械加工性能,制备工艺简便,适合大规模批量生产。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
基于深度学习语言模型融合语义特征的关键词提取方法(需要二次变更)
当前第 / 件
一种具有体内导电沟道的薄层SOI-LDMOS器件
同领域国内专利 · IPC: (C09K3_00)
C09K3_00
C09K3_14
C09K3_18
C09K3_22
C09K3_32
覆盖
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