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摘 要:本发明公开了一种n‑Si/CdSSe叠层太阳电池,包括由上至下依次叠置的CdSSe薄膜顶电池、隧穿层和晶体硅底电池,所述隧穿层为单层或双层氧化物结构,所述单层氧化物结构材质为SnO2或In2O3,所述双层氧化物结构的上层材质为SnO2或In2O3,所述双层氧化物的下层材质为Al2O3或SiO2。本发明还公开了这种n‑Si/CdSSe叠层太阳电池的制备方法。该n‑Si/CdSSe叠层太阳电池可减少两电池界面处电流复合损失,并保证顶电池在厚度比较薄的情况下的电流输出。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201611046428.5 | 专利名称: | 一种n-Si/CdSSe叠层太阳电池及其制备方法 |
申请日: | 2016-11-23 | 申请/专利权人 | 常熟理工学院,苏州腾晖光伏技术有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市常熟市南三环路99号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/078搜分类 太阳能搜索 |
公开/公告日: | 2018-06-29 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN106409961B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |