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发明专利
已授权
一种n-Si/CdSSe叠层太阳电池及其制备方法
📄 申请号:CN201611046428.5
📄 发布日:2026/08/03
著录项目信息
申请日
2016-11-23
公开号
CN106409961B
公开日
2018-06-29
申请人
常熟理工学院; 苏州腾晖光伏技术有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L31_078
IPC 分类号
H01L31_078
,
H01L31_20
,
技术画像
所属领域
其他分类
其他
应用场景
太阳能发电, 光伏电站, 分布式光伏发电, 建筑一体化光伏
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摘要
本发明公开了一种n‑Si/CdSSe叠层太阳电池,包括由上至下依次叠置的CdSSe薄膜顶电池、隧穿层和晶体硅底电池,所述隧穿层为单层或双层氧化物结构,所述单层氧化物结构材质为SnO2或In2O3,所述双层氧化物结构的上层材质为SnO2或In2O3,所述双层氧化物的下层材质为Al2O3或SiO2。本发明还公开了这种n‑Si/CdSSe叠层太阳电池的制备方法。该n‑Si/CdSSe叠层太阳电池可减少两电池界面处电流复合损失,并保证顶电池在厚度比较薄的情况下的电流输出。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
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