发明专利 已授权

极化增强窄带 A1GaNp-i-n型紫外探测器及其制备方法

📄 申请号:CN202010989092.6 📄 发布日:2026/08/24

著录项目信息

申请日
2020-09-18
公开号
CN112018210B
公开日
2022-05-17
申请人
南京冠鼎光电科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

所属领域

应用场景

火焰探测, 环境监测, 军事国防, 紫外通信, 空间探测

摘要

本发明公开了一种极化增强窄带AlGaN p‑i‑n型紫外探测器,其结构自下而上依次包括:衬底层、模板层、光学过滤层、掺杂层、过渡层、吸收层、极化调制层、欧姆接触层、钝化层;其特征在于:所述模板层为非故意掺杂的AlN,所述光学过滤层为Al组分为0.45的n型重掺杂的AlGaN,所述掺杂层为Al组分为0.35的n型重掺杂的AlGaN,所述过渡层为Al组分渐变的n型AlGaN,所述吸收层为Al组分为0.3的非故意掺杂AlGaN,所述极化调制层为Al组分为0.15的p型AlGaN。还公开了其制备方法。本发明通过异质结构进行光学探测窗口设计,并引入极化效应,可以实现响应信号在300‑320nm范围内、半峰宽(FWHM)为8nm的窄带探测。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

20220517
✅ 授权
20201218
?? 实质审查的生效 :
20201201
📄 公开

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