发明专利 已授权

一种二硫化钼纳米带及其制备方法、场效应晶体管的电极材料

📄 申请号:CN202010406348.6 📄 发布日:2026/07/03

著录项目信息

申请日
2020-05-14
公开号
CN111540786B
公开日
2024-02-13
申请人
皖西学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

场效应晶体管, 半导体器件, 集成电路, 微电子器件, 纳米电子器件

摘要

本发明涉及无机纳米材料技术领域,具体涉及一种二硫化钼纳米带及其制备方法、场效应晶体管的电极材料,所述二硫化钼纳米带的制备方法,包括以下步骤:在还原氛围的气流中,将硫氰酸盐置于所述气流的上游端,将钼酸盐置于所述气流的下游端,并在所述钼酸盐的上方悬空设置一衬底,接着在150~600℃下煅烧45‑90min。本发明采用气相沉积法在SiO2衬底直接合成了二硫化钼纳米带,该二硫化钼纳米带具有金属性边界,其开电流能≥90μA/μm;跨导≥4μS/μm,载流子迁移率≥100cm2/(V·s),开关比≥108,可作为场效应晶体管的电极材料。

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图2
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