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摘 要:本发明涉及无机纳米材料技术领域,具体涉及一种二硫化钼纳米带及其制备方法、场效应晶体管的电极材料,所述二硫化钼纳米带的制备方法,包括以下步骤:在还原氛围的气流中,将硫氰酸盐置于所述气流的上游端,将钼酸盐置于所述气流的下游端,并在所述钼酸盐的上方悬空设置一衬底,接着在150~600℃下煅烧45‑90min。本发明采用气相沉积法在SiO2衬底直接合成了二硫化钼纳米带,该二硫化钼纳米带具有金属性边界,其开电流能≥90μA/μm;跨导≥4μS/μm,载流子迁移率≥100cm2/(V·s),开关比≥108,可作为场效应晶体管的电极材料。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010406348.6 | 专利名称: | 一种二硫化钼纳米带及其制备方法、场效应晶体管的电极材料 |
申请日: | 2020-05-14 | 申请/专利权人 | 皖西学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 安徽省六安市云露桥西月亮岛皖西学院 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/78搜分类 纳米材料搜索 |
公开/公告日: | 2024-02-13 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111540786B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |