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一种具有量子干涉效应的化合物及包含其的单分子场效应晶体管

Name: 一种具有量子干涉效应的化合物及包含其的单分子场效应晶体管
Brand: 北京未名元上分子技术有限公司, 南开大学
SKU: 2021116155337
Availability: InStock

📄 申请号：CN202111615533.7 📄 发布日：2026/09/29

著录项目信息

申请日

2021-12-27

公开号

CN114292201B

公开日

2024-05-28

申请人

北京未名元上分子技术有限公司, 南开大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C07C225_24

IPC 分类号

C07C225_24 , C07C211_50 , C07C211_31 , C07C211_25 , C07D213_38 , H10K85_60 , H10K10_46 , H10K71_00 ,

技术画像

所属领域

量子干涉化合物量子干涉化合物分子电子材料单分子场效应晶体管

应用场景

分子电子器件, 纳米电子器件, 逻辑电路, 传感器, 分子电路

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摘要

本申请提供了一种具有量子干涉效应的化合物及包含其的单分子场效应晶体管，由于量子干涉效应，所述单分子场效应晶体管的开关比与普通分子构建的场效应晶体管相比有数量级的提升。本申请的单分子场效应晶体管中，具有量子干涉效应的化合物能够通过酰胺共价键稳定连接于具有纳米间隙阵列的二维单层石墨烯的间隙形成分子异质结，并采用具有原子级平整且原子层厚度可控的新型二维材料，通过不同二维材料的范德华堆叠组装，形成范德华异质结构，能够实现单分子场效应晶体管器件的精准控制制备，使单分子场效应晶体管具有较强的栅电场调控能力，具有较好的稳定性和集成性。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN114292201B

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……

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图2

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