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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN201910461768.1 | 专利名称: | 一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构及其加工方法 |
申请日: | 2019-05-30 | 申请/专利权人 | 南京信息工程大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市江北新区宁六路219号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0304分类检索 其他专利转让搜索 |
公开/公告日: | 2023-04-07 | 转让价格: | 面议 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN112018199B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明涉及一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构,包括基底、柱状固体介质阵列结构和孔状非极性AlxGa1‑xN层。本发明可显著降低非极性AlGaN面内应力,从而达到大幅度减弱非极性AlGaN产生位错的根源,实现非极性AlGaN位错密度的有效降低和晶体质量的有效提高。还可以适应非极性AlGaN在不同Al组分条件下应力各向异性的变化,最大限度上解决非极性AlGaN因存在的面内应力各向异性导致的问题。使用该复合结构可进一步生长高质量的非极性AlGaN基薄膜,广泛应用于非极性AlGaN基紫外、深紫外发光器件以及紫外、日盲探测器件的制备,并可显著提高制备器件的性能、稳定性及寿命。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |